发明公开
- 专利标题: 一种采用金属盐辅助化学刻蚀法制备3D高容量负极材料的方法
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申请号: CN202110822487.1申请日: 2021-07-21
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公开(公告)号: CN113594441A公开(公告)日: 2021-11-02
- 发明人: 姚耀春 , 王倩雯 , 高耕 , 张克宇 , 米如中 , 杨斌 , 戴永年 , 梁风
- 申请人: 昆明理工大学
- 申请人地址: 云南省昆明市呈贡区昆明理工大学
- 专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市呈贡区昆明理工大学
- 代理机构: 昆明同聚专利代理有限公司
- 代理商 王远同
- 主分类号: H01M4/38
- IPC分类号: H01M4/38 ; H01M4/48 ; H01M10/0525
摘要:
本发明是设计一种采用金属盐辅助化学刻蚀法制备3D高容量负极材料的方法,众所周知,高容量的负极电池材料具有极大的膨胀效应(>300)容量衰减快、倍率性能差、循环性能差等问题。本发明提供一种金属盐类辅助化学刻蚀法制备高容量3D多孔(Si、SiO、GeO、SnO2、Sn)负极材料的方法,采用价格低廉的小苏打(NaHCO3)对高容量(Si、SiO、GeO、SnO2、Sn)负极电池材料进行化学刻蚀制备3D多孔结构,从材料的内部结构改造,制造一定的空间缓解材料本身的体积膨胀的问题。