Invention Publication
- Patent Title: 计及高压母线并联电抗器饱和的匝间保护优化方法及装置
-
Application No.: CN202110902290.9Application Date: 2021-08-06
-
Publication No.: CN113612196APublication Date: 2021-11-05
- Inventor: 高晨光 , 李岩军 , 王志洁 , 刘亚东 , 王文焕 , 周银平 , 张红亮 , 周春霞 , 沈晓凡
- Applicant: 中国电力科学研究院有限公司
- Applicant Address: 北京市海淀区清河小营东路15号
- Assignee: 中国电力科学研究院有限公司
- Current Assignee: 中国电力科学研究院有限公司
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清河小营东路15号
- Agency: 北京工信联合知识产权代理有限公司
- Agent 刘爱丽
- Main IPC: H02H7/00
- IPC: H02H7/00 ; H02H3/26 ; H02H7/22

Abstract:
本发明公开了一种计及高压母线并联电抗器饱和的匝间保护优化方法及装置。其中,该计及高压母线并联电抗器饱和的匝间保护优化方法包括:根据高压并联电抗器的首端三相电流全波瞬时值与三相电压全波瞬时值,构建高压并联电抗器的匝间保护判据;根据首端三相电流全波瞬时值和三相电压全波瞬时值的历史数据,确定高压并联电抗器相的磁化曲线;根据磁化曲线,计算高压并联电抗器相的磁化曲线中心位置;根据磁化曲线中心位置,确定高压并联电抗器相的磁化曲线中心偏移值;以及根据磁化曲线中心偏移值,判断高压并联电抗器该相是否发生匝间短路。
Public/Granted literature
- CN113612196B 计及高压母线并联电抗器饱和的匝间保护优化方法及装置 Public/Granted day:2023-10-24
Information query