Invention Publication
- Patent Title: 二次电池
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Application No.: CN202080024426.4Application Date: 2020-01-21
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Publication No.: CN113632256APublication Date: 2021-11-09
- Inventor: 高桥崇宽 , 吉井一洋
- Applicant: 松下知识产权经营株式会社
- Applicant Address: 日本大阪府
- Assignee: 松下知识产权经营株式会社
- Current Assignee: 松下知识产权经营株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪府
- Agency: 北京林达刘知识产权代理事务所
- Agent 刘新宇; 李茂家
- Priority: 2019-059615 20190327 JP
- International Application: PCT/JP2020/001881 2020.01.21
- International Announcement: WO2020/195055 JA 2020.10.01
- Date entered country: 2021-09-26
- Main IPC: H01M4/02
- IPC: H01M4/02 ; H01M4/13 ; H01M10/04 ; H01M10/052
Abstract:
二次电池具备：包含正极芯体及设置在正极芯体的表面的正极合剂层的正极、和包含负极芯体及设置在负极芯体的表面的负极合剂层的负极。正极合剂层及负极合剂层中的至少一者的层厚度的变异系数为0.01～0.30、或者层表面的弯曲度为1.2～2.0。
Public/Granted literature
- CN113632256B 二次电池 Public/Granted day:2024-06-21
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