- 专利标题: 一种新型抗缺口冲击的光敏PC制备方法及其在防晒中的应用
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申请号: CN202111029931.0申请日: 2021-09-03
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公开(公告)号: CN113683734A公开(公告)日: 2021-11-23
- 发明人: 王栋 , 王亚辉 , 许钦一 , 王磊 , 孙永旭 , 徐丹 , 吴雪峰 , 张宏科
- 申请人: 万华化学集团股份有限公司
- 申请人地址: 山东省烟台市经济技术开发区重庆大街59号
- 专利权人: 万华化学集团股份有限公司
- 当前专利权人: 万华化学集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 山东省烟台市经济技术开发区重庆大街59号
- 主分类号: C08F283/02
- IPC分类号: C08F283/02 ; C08F226/06 ; C08G64/04 ; C08G64/24 ; B32B27/36 ; B32B27/06 ; B32B27/18 ; B32B33/00 ; B32B7/12
摘要:
本发明提供了一种新型抗缺口冲击的光敏PC,其制备过程中引入了偶氮苯和VDT单体,本发明制备的抗缺口冲击的光敏PC改善了PC材料易产生应力开裂、缺口冲击敏感性高的缺点,悬臂梁缺口冲击强度提高至20~60kJ/m2。此外该聚合物在其与紫外光滤膜结合使用时,其在光照下偶氮苯单元可以由反式变为顺式,在PC中形成有规排列结晶结构,其不再透明,有效的防止光线的射入,而在光照消失后,偶氮苯的顺式结构会自发变为反式结构,恢复其透明性能。
公开/授权文献
- CN113683734B 一种抗缺口冲击的光敏PC制备方法及其在防晒中的应用 公开/授权日:2022-08-05