半导体存储装置具备：多个第1导电层，排列在第1方向上；多个第2导电层，在第2方向上与多个第1导电层相隔而配置，且排列在第1方向上；半导体层，设置在多个第1导电层与多个第2导电层之间；以及电荷蓄积层，具备设置在多个第1导电层与半导体层之间的第1部分及设置在多个第2导电层与半导体层之间的第2部分。该半导体存储装置构成为能够执行第1写入动作与第2写入动作，该第1写入动作是对作为多个第1导电层其中一个的第3导电层供给第1编程电压，对作为多个第1导电层其中一个的第4导电层供给小于第1编程电压的写入通路电压，该第2写入动作是对第3导电层供给大于写入通路电压的第2编程电压，对第4导电层供给第2编程电压。