Invention Grant
- Patent Title: 具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器及其制备方法
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Application No.: CN202110849403.3Application Date: 2020-09-02
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Publication No.: CN113708217BPublication Date: 2023-01-03
- Inventor: 方照诒
- Applicant: 北京金太光芯科技有限公司
- Applicant Address: 北京市东城区王府井大街218-1号B4层A407
- Assignee: 北京金太光芯科技有限公司
- Current Assignee: 北京金太光芯科技有限公司
- Current Assignee Address: 北京市东城区王府井大街218-1号B4层A407
- Agency: 北京驰纳南熙知识产权代理有限公司
- Agent 李佳佳
- Main IPC: H01S5/183
- IPC: H01S5/183
Abstract:
本发明提供具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器及其制备方法,所述激光器包括衬底、位于所述衬底之上的第一镜层、位于所述第一镜层之上的活化层和位于所述活化层之上的第二镜层,所述第二镜层、所述活化层和靠近所述活化层的部分所述第一镜层经过蚀刻之后形成非圆柱形主动区平台。本发明综合考虑了晶面类型以及主动区平台不同方向对氧化速度的影响,针对不同的晶面类型,对常用的圆柱形主动区平台的形状进行改进,进而实现氧化孔径的形状规则化,使其与圆形或正多边形近似,使V C S E L射出的光更加的规则。
Public/Granted literature
- CN113708217A 具备非圆柱形平台的垂直腔面发射激光器及其制备方法 Public/Granted day:2021-11-26
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