本发明公开了一种三元共晶靶材及其制备方法，包括A组分、B组分和C组分粉末，A组分含量为30～50mol％，B组分含量为10～50mol％，C组分含量为20～40mol％，所述A组分为B4C粉末，B组分为TiB2、ZrB2、HfB2、TaB2或NbB2粉末，C组分为SiC粉末。本发明制备的共晶靶材具有更高的致密度，含有更多的元素种类，相分散更均匀，单个靶材就可以引入四种元素，能够减少多元涂层制备时所需工作靶位的数量，降低了镀膜的功耗以及镀膜装备的成本；本发明三元共晶靶材具有良好的导电导热性，可作为常用物理气相沉积技术的靶材使用；同时，靶材自身已具有高硬度、高韧性，使用本发明制备的靶材进行涂层制备时，无需额外加入氮气、乙炔等反应气体，即可使制备的涂层具备与靶材相同的优异性能。