- 专利标题: 一种用于碳化硅外延薄膜生长的设备及其控制方法
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申请号: CN202111287621.9申请日: 2021-11-02
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公开(公告)号: CN113718331B公开(公告)日: 2022-02-08
- 发明人: 蒲勇 , 施建新 , 卢勇 , 赵鹏
- 申请人: 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区苏慕路104号S栋
- 专利权人: 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
- 当前专利权人: 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区苏慕路104号S栋
- 代理机构: 苏州智品专利代理事务所
- 代理商 唐学青
- 主分类号: C30B25/02
- IPC分类号: C30B25/02 ; C30B25/12 ; C30B25/16 ; C30B25/08
摘要:
本申请提出一种用于碳化硅外延薄膜生长的设备及其控制方法。该生长反应模块及拿取部件,生长反应模块包括:主体部,主体部内配置有反应腔,主体部的一侧具有开口部,开口部配置有喷淋组件,喷淋组件的进气侧通过匹配对应的管道连接至气体供给系统,反应腔内配置有旋转装置,转装置上放置托盘,所述托盘下配置有衬底加热器,所述喷淋组件的出气侧对着托盘,沿主体部的轴向配置有侧壁加热器,所述主体部的侧壁配置有进料口,所述拿取部件的机械手通过进料口以托盘装盘或取托盘,所述主体部的侧壁配置有抽气口,所述抽气口通过抽气管连接真空泵。利用拿取部件实现在较高的温度下装载/取托盘,减少等待时间、提高生产效率,设备利用率。
公开/授权文献
- CN113718331A 一种用于碳化硅外延薄膜生长的设备及其控制方法 公开/授权日:2021-11-30
IPC分类: