本发明公开了一种SiC/Si Cascode器件用多芯片并联结构，包括低压Si MOSFET和SiC JFET，多个低压Si MOSFET和多个SiC JFET以共栅共源的方式连接构成一个SiC/Si Cascode器件；多个SiC JFET的源极之间通过桥接支路连接。本发明极大的抑制多个SiC/Si Cascode器件并联时开关过程中电流的不均衡，进而抑制并联芯片之间的开关损耗和结温差异，避免了局部热应力集中的情况，提高了并联整体的可靠性。