- 专利标题: 一种采用超表面降低水平全向天线隔离度的去耦结构
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申请号: CN202110738460.4申请日: 2021-06-30
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公开(公告)号: CN113725614B公开(公告)日: 2023-01-31
- 发明人: 赵鲁豫 , 吴为军 , 赵筱元
- 申请人: 西安电子科技大学 , 中国舰船研究设计中心
- 申请人地址: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号;
- 专利权人: 西安电子科技大学,中国舰船研究设计中心
- 当前专利权人: 西安电子科技大学,中国舰船研究设计中心
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号;
- 代理机构: 苏州创元专利商标事务所有限公司
- 代理商 范晴
- 主分类号: H01Q1/52
- IPC分类号: H01Q1/52 ; H01Q15/00 ; H01Q1/34
摘要:
本发明公开了一种采用超表面降低水平全向天线隔离度的去耦结构,其特征在于,包括:放置于相邻两个水平全向天线单元之间的超表面结构;至少两个水平全向天线单元组成水平全向天线阵列;超表面结构包括周期性的谐振单元和支撑谐振单元的介质基板,介质基板垂直于水平全向天线阵列的地板,谐振单元设置于介质基板的两侧。可以在物理空间受限、相邻天线单元存在强烈互耦的情况下,改善阵列天线单元之间的耦合性能,有效提高水平全向天线阵列单元之间的隔离度。
公开/授权文献
- CN113725614A 一种采用超表面降低水平全向天线隔离度的去耦结构 公开/授权日:2021-11-30