• 专利标题: 一种可抑制时域溅射效应的低散射超表面阵列及其设计方法
  • 申请号: CN202111031172.1
    申请日: 2021-09-03
  • 公开(公告)号: CN113745845B
    公开(公告)日: 2022-06-28
  • 发明人: 程强杨瑞崔铁军
  • 申请人: 东南大学
  • 申请人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
  • 专利权人: 东南大学
  • 当前专利权人: 东南大学
  • 当前专利权人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
  • 代理机构: 南京瑞弘专利商标事务所
  • 代理商 任志艳
  • 主分类号: H01Q15/00
  • IPC分类号: H01Q15/00
一种可抑制时域溅射效应的低散射超表面阵列及其设计方法
摘要:
本发明公开了一种可以有效抑制时域溅射效应的低散射超表面阵列及其设计方法,由电磁各向异性的单元结构组成,单元结构包括电阻薄膜结构层、中间介质层以及金属背板层。电阻薄膜结构层采用十字形结构,通过调整十字形结构的臂长和宽度以及薄膜电阻的表面电阻,可以有效的调控单元的反射率曲线和时域溅射效应的持续时间及最大值。该超表面不仅在频域上具有低散射特性,同时在时域上具有抑制时域溅射效应的功能。因此,该超表面在频域和时域上都具有隐身功能。
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