- 专利标题: 一种基于硒化铜纳米管或硒化铜/硫化铋纳米管复合材料的宽光谱探测器及其制备方法
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申请号: CN202111051892.4申请日: 2021-09-08
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公开(公告)号: CN113758562B公开(公告)日: 2023-08-08
- 发明人: 高世勇 , 任帅 , 王金忠 , 杲立刚 , 容萍 , 张勇
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨龙科专利代理有限公司
- 代理商 王新雨
- 主分类号: G01J1/42
- IPC分类号: G01J1/42
摘要:
一种基于硒化铜纳米管或硒化铜/硫化铋纳米管复合材料的宽光谱探测器及其制备方法,属于光电探测器件及其制备领域。本发明所述的硒化铜/硫化铋纳米管复合材料是由Cu3Se2纳米管和Bi2S3纳米片构成,所述方法为:利用室温溶液法合成Se纳米线;将所制备的Se纳米线作为模板和反应Se源,获得Se@Cu2Se纳米结构;通过退火处理得到Cu3Se2纳米管;室温下,通过溶液合成法在Cu3Se2纳米管表面生长Bi2S3纳米片,制备出同轴核壳结构Cu3Se2/Bi2S3纳米管复合材料;制作器件。本发明主要利用简单、易实现的室温溶液法合成了Cu3Se2纳米管和同轴核壳结构Cu3Se2/Bi2S3纳米管复合材料,并进一步制备了具有自供能特性的光电探测器件,成本低、易操作、无污染,适用于大规模生产,具有很高的应用价值和前景。
公开/授权文献
- CN113758562A 一种基于硒化铜纳米管或硒化铜/硫化铋纳米管复合材料的宽光谱探测器及其制备方法 公开/授权日:2021-12-07