发明授权
- 专利标题: 一种高织构化纳米晶碲化铋的制备方法
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申请号: CN202111068225.7申请日: 2021-09-13
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公开(公告)号: CN113774492B公开(公告)日: 2022-11-25
- 发明人: 耿慧远 , 祝昊
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
- 代理商 侯静
- 主分类号: C30B29/46
- IPC分类号: C30B29/46 ; C30B29/60 ; C30B28/02
摘要:
一种高织构化纳米晶碲化铋的制备方法,涉及一种纳米晶碲化铋的制备方法。为了解决现有方法得到的碲化铋中织构与纳米晶不能共存的问题。根据分子式AzBix‑zSb2‑x+zTeySe3‑y的化学计量比称取原料,原料熔炼后熔融旋淬制备薄带,将薄带状材料沿同一方向堆叠排列,然后置于石墨模具中,利用热压炉在惰性气体保护下进行热压,得到高织构化纳米晶碲化铋基材料。本发明采用熔融旋淬法制备薄带原材料产生纳米级别的晶粒,薄带中的晶粒基本为沿薄带厚度方向生长的柱状晶引入了织构,对薄带进行堆叠热压烧结,能够保证织构的完整性,实现纳米级晶粒与织构同时保留。本发明适用于制备高织构化纳米晶碲化铋。
公开/授权文献
- CN113774492A 一种高织构化纳米晶碲化铋的制备方法 公开/授权日:2021-12-10