本发明属于基准源技术领域，具体涉及一种低功耗高电源抑制比的自偏置电流基准源。本发明通过产生两个温度系数相反的电流成一定比例叠加来实现一个对温度不敏感的电流源，有效的解决了传统自偏置电流基准源(Beta‑multiplier reference)的正温度系数特性，此外，在反馈环路中加入放大器，大幅度的改善了电源抑制比。本发明通过自偏置电路结构，产生一个与工艺系数、电阻、尺寸相关，并且拥有正温度系数的电流(IPTAT)，与此同时，利用三极管基极‑集电极电压VBE的负温度系数产生一个负温度系数的电流(ICTAT)，通过合适的比例叠加两者，实现输出基准电流与温度不敏感的特性。本发明电路中晶体管数量、电阻数量较少且尺寸较小，所以整体电路实现了低功耗与小面积。