- 专利标题: 基于缺陷微波光子晶体的等离子体电磁参数测量方法
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申请号: CN202111107805.2申请日: 2021-09-22
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公开(公告)号: CN113784491B公开(公告)日: 2023-02-14
- 发明人: 梅永 , 王身云 , 庄建军
- 申请人: 南京信息工程大学
- 申请人地址: 江苏省盐城市盐南高新区新河街道文港南路105号
- 专利权人: 南京信息工程大学
- 当前专利权人: 南京信息工程大学
- 当前专利权人地址: 江苏省盐城市盐南高新区新河街道文港南路105号
- 代理机构: 南京经纬专利商标代理有限公司
- 代理商 罗运红
- 主分类号: H05H1/00
- IPC分类号: H05H1/00
摘要:
本发明公开了基于缺陷微波光子晶体的等离子体电磁参数测量方法,包括如下步骤:(1)构建一维等离子体缺陷微波光子晶体结构,利用传输矩阵法模拟等离子体电磁参数与等离子体缺陷微波光子晶体缺陷透射峰的频率偏移量和峰值之间的关系;(2)测量等离子体缺陷微波光子晶体的透射谱,通过所述偏移量和峰值反演被测等离子体电磁参数。本发明通过测量手段得到缺陷透射峰的强度与频率位置,反演出微波光子晶体等离子体缺陷的电磁参数,实现了等离子体电磁参数的非接触式测量。
公开/授权文献
- CN113784491A 基于缺陷微波光子晶体的等离子体电磁参数测量方法 公开/授权日:2021-12-10