本发明公开了一种大尺寸锗单晶生长方法，包括以下步骤：S100：将高纯度的区熔锗锭装入石墨坩埚中进行高温熔化为熔体，将籽晶插入所述熔体表面进行熔接；S200：引晶阶段；S300：缩径阶段；S400：放肩阶段；S500：等径阶段；S600：收尾脱离阶段；S700：降温退火阶段。该大尺寸锗单晶生长方法通过在等径阶段中的前阶段、中阶段和后阶段三个阶段不断的提高坩埚的埚转速率，使得坩埚出现离心力，通过离心力降低熔体的中间液面的凸起幅度，使得熔体的中间液面和周围液面的高度保持一致，从而使得液面保持平整，当晶体在平整的液面中生长时，就不容易出现变晶现象。因此，该大尺寸锗单晶生长方法有效避免大尺寸锗单晶在生长过程中出现变晶现象，提高产品的良率。