发明授权
- 专利标题: 一种磁场传感器和磁场检测方法
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申请号: CN202111120078.3申请日: 2021-09-24
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公开(公告)号: CN113835048B公开(公告)日: 2024-09-17
- 发明人: 林剑涛 , 刘耀 , 李宗祥 , 刘祖文 , 黄雅雯 , 程浩 , 陶文昌 , 吕耀朝
- 申请人: 福州京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址: 福建省福州市福清市石竹街道西环北路36号;
- 专利权人: 福州京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人: 福州京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 福建省福州市福清市石竹街道西环北路36号;
- 代理机构: 北京正理专利代理有限公司
- 代理商 李远思
- 主分类号: G01R33/032
- IPC分类号: G01R33/032
摘要:
本发明实施例公开一种磁场传感器和磁场检测方法。在一具体实施方式中,该磁场传感器,包括光源、光纤、光电探测器和数据处理器;其中,至少部分所述光纤的纤芯包层包括聚二甲基硅氧烷层和设置于所述聚二甲基硅氧烷层外侧的磁致伸缩材料层;所述光源,用于向所述光纤的第一端输出设定光强的光;所述磁致伸缩材料层,用于在待测环境中的磁场的作用下产生拉伸所述聚二甲基硅氧烷层的形变,以改变所述聚二甲基硅氧烷层的折射率;所述数据处理器,用于根据所述光电探测器感测的所述光纤的第二端输出的光的光强及预存的光强与磁场强度值的对应关系,确定待测环境中的磁场强度值。
公开/授权文献
- CN113835048A 一种磁场传感器和磁场检测方法 公开/授权日:2021-12-24