发明授权
- 专利标题: 提高发光二极管取光效率的超表面
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申请号: CN202111115801.9申请日: 2021-09-23
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公开(公告)号: CN113851573B公开(公告)日: 2023-09-01
- 发明人: 郝成龙 , 谭凤泽 , 朱健
- 申请人: 深圳迈塔兰斯科技有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市宝安区新安街道上合社区33区大宝路83号美生慧谷科技园秋谷8栋6楼
- 专利权人: 深圳迈塔兰斯科技有限公司
- 当前专利权人: 深圳迈塔兰斯科技有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市宝安区新安街道上合社区33区大宝路83号美生慧谷科技园秋谷8栋6楼
- 代理机构: 深圳市深佳知识产权代理事务所
- 代理商 陈彦如
- 主分类号: H01L33/58
- IPC分类号: H01L33/58 ; H10K50/85 ; B82Y20/00
摘要:
本申请公开了一种提高发光二极管取光效率的超表面,包括基板和多个超结构单元;其中,基板位于发光二极管的金属氧化物层上;基板能透过辐射;多个超结构单元设置于基板远离金属氧化物层的一侧,并且多个超结构单元以可密堆积图形构成;可密堆积图形的每个超结构单元的中心位置和/或顶点位置分别设置有纳米结构;纳米结构沿第一轴和第二轴分为四个象限,纳米结构在任一象限内的截面图案在第一轴上的投影和在第二轴上的投影相同;任一象限内的截面图案分别沿第一轴和第二轴对称形成纳米结构的截面图案;第一轴和第二轴相互垂直,且第一轴和第二轴分别与纳米结构的高度方向垂直。本申请通过纳米结构提高了发光二极管的取光效率,降低了生产成本。
公开/授权文献
- CN113851573A 提高发光二极管取光效率的超表面 公开/授权日:2021-12-28
IPC分类: