- 专利标题: 选择性暴露(100)晶面的金属Cu薄膜电极及其制备方法
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申请号: CN202110981190.X申请日: 2021-08-25
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公开(公告)号: CN113862720B公开(公告)日: 2024-05-14
- 发明人: 巩金龙 , 张恭 , 王拓 , 李慧敏 , 高晖 , 王庆臻 , 张鹏
- 申请人: 天津大学
- 申请人地址: 天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区
- 专利权人: 天津大学
- 当前专利权人: 天津大学
- 当前专利权人地址: 天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区
- 代理机构: 天津市北洋有限责任专利代理事务所
- 代理商 琪琛
- 主分类号: C25B11/075
- IPC分类号: C25B11/075 ; C25B11/052 ; C25B11/032 ; C25B3/26 ; C25B3/21 ; C25B3/03 ; C25B3/07 ; C23C14/00 ; C23C14/34 ; C23C14/50 ; C23C14/08
摘要:
本发明属于光/电催化CO2还原电极技术领域,公开了一种选择性暴露(100)晶面的金属Cu薄膜电极及其制备方法,在衬底上通过反应溅射沉积制备前驱体,然后通过电还原方法还原前驱体,所得衬底上生长的金属Cu薄膜,具有较高的(100)晶面的选择性暴露比例和较大的电化学活性面积。本发明能够提升电极的催化活性,电极表面不存在封端剂等有机物的残留,提高了该电极在电催化CO2还原应用中的C2+产物选择性。同时,由于其制备方法是在导电衬底上直接沉积催化剂薄膜,实现了电极的一步法制备,无需传统电极制备工艺中的“二次负载”过程,提高了与现有电化学反应体系的兼容性。
公开/授权文献
- CN113862720A 选择性暴露(100)晶面的金属Cu薄膜电极及其制备方法 公开/授权日:2021-12-31