半导体器件包括第一半导体层、第二半导体层、源极、漏极、栅极结构和第一p型掺杂III‑V族化合物/氮化物半导体层。第二半导体层设置于第一半导体层上，并且具有的带隙大于第一半导体层的带隙。源极和漏极设置于第二半导体层上。栅极结构设置于第二半导体层上且于源极和漏极之间。第一p型掺杂III‑V族化合物半导体层设置于第二半导体层上且于栅极结构和漏极之间，且漏极至少部分地覆盖p型掺杂层，使得第一p型掺杂III‑V族化合物层和漏极彼此电气耦合。