本发明公开了一种降低IC封装不良率的球形硅微粉的制备方法。所述方法先分别将不同粒径的角形硅微粉A1和A2进行加热球形化，得到不同粒径的球形硅微粉Q1、Q2、Q3、Q4，然后将球形硅微粉Q1、Q3加热处理后经过粗效分级去除大颗粒和团聚物，再经过精密筛分彻底去除大颗粒和团聚物得到Q5、Q6，最后按Q6、Q2、Q5、Q4的投料顺序，按配比混合均化得到高填充、低团聚的球形硅微粉。本发明制备的球形硅微粉的球化率在95％以上，具有高纯度、高填充量、高流动性，能有效降低IC封装不良率，可广泛地应用于绝缘材料、电子材料等领域中。