发明授权
- 专利标题: 基于紫外成像的瓷绝缘子缺陷检测方法
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申请号: CN202111189358.X申请日: 2021-10-12
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公开(公告)号: CN113884500B公开(公告)日: 2024-08-06
- 发明人: 郑凯 , 张志劲 , 雷雨 , 蒋兴良 , 杨富淇 , 梁田 , 郑华龙
- 申请人: 国家电网有限公司 , 国网重庆市电力公司检修分公司
- 申请人地址: 北京市西城区西长安街86号;
- 专利权人: 国家电网有限公司,国网重庆市电力公司检修分公司
- 当前专利权人: 国家电网有限公司,国网重庆市电力公司检修分公司
- 当前专利权人地址: 北京市西城区西长安街86号;
- 代理机构: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司
- 代理商 胡博文
- 主分类号: G01N21/88
- IPC分类号: G01N21/88 ; G01R31/12
摘要:
本发明公开了一种基于紫外成像的瓷绝缘子缺陷检测方法,包括步骤:S1.构造缺陷型瓷绝缘子串;S2.对缺陷型瓷绝缘子片进行紫外成像检测;S3.构建缺陷型瓷绝缘子片的紫外放电图谱;S4.构建待测瓷绝缘子片的紫外放电图谱;S5.若缺陷型瓷绝缘子片紫外放电图谱中存在与待测瓷绝缘子片紫外放电图谱相同的紫外放电图谱,则将与待测瓷绝缘子片紫外放电图谱相同的缺陷型瓷绝缘子片紫外放电图谱作为目标放电图谱,并将目标放电图谱对应的缺陷类型作为待测瓷绝缘子片的缺陷类型;否则,待测瓷绝缘子片没有缺陷。本发明能够为技术人员提供客观的判断依据,指导技术人员对电力线路中瓷绝缘子的缺陷进行准确判断,保证了电力系统安全稳定运行。
公开/授权文献
- CN113884500A 基于紫外成像的瓷绝缘子缺陷检测方法 公开/授权日:2022-01-04