发明公开
- 专利标题: 基于红外温升的瓷绝缘子缺陷检测方法
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申请号: CN202111189364.5申请日: 2021-10-12
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公开(公告)号: CN113884537A公开(公告)日: 2022-01-04
- 发明人: 郑凯 , 张志劲 , 雷雨 , 蒋兴良 , 杨富淇 , 梁田 , 郑华龙
- 申请人: 国家电网有限公司 , 国网重庆市电力公司检修分公司
- 申请人地址: 北京市西城区西长安街86号;
- 专利权人: 国家电网有限公司,国网重庆市电力公司检修分公司
- 当前专利权人: 国家电网有限公司,国网重庆市电力公司检修分公司
- 当前专利权人地址: 北京市西城区西长安街86号;
- 代理机构: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司
- 代理商 胡博文
- 主分类号: G01N25/72
- IPC分类号: G01N25/72
摘要:
本发明公开了一种基于红外温升的瓷绝缘子缺陷检测方法,包括步骤:S1.构造缺陷型瓷绝缘子串;S2.得到缺陷型瓷绝缘子片在不同环境温度下的红外温升值;S3.构建缺陷型瓷绝缘子片的红外温升数据库;S4.得到待测瓷绝缘子片在所处环境温度下的红外温升值;S5.判断缺陷型瓷绝缘子片红外温升数据库中是否存在与待测瓷绝缘子片在相同环境温度下相同的红外温升值,若是,则将与待测瓷绝缘子片在相同环境温度下相同的红外温升值作为目标红外温升值,并将目标红外温升值对应的缺陷类型作为待测瓷绝缘子片的缺陷类型;若否,则待测瓷绝缘子片没有缺陷。本发明能够准确判断瓷绝缘子的缺陷类型,实现对瓷绝缘子的有效检测,检测结果准确可靠。