- 专利标题: 一种双真空舱室晶圆质子辐照装置及辐照方法
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申请号: CN202111509361.5申请日: 2021-12-10
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公开(公告)号: CN113903490B公开(公告)日: 2022-05-10
- 发明人: 吕银龙 , 葛涛 , 王婉琳 , 张俊新 , 冯雨 , 石玉博 , 郭如勇 , 孙玺
- 申请人: 国核铀业发展有限责任公司 , 北京核力同创科技有限公司 , 无锡市核力创芯科技有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区清华东路35号北林学研中心C栋1层107房间; ;
- 专利权人: 国核铀业发展有限责任公司,北京核力同创科技有限公司,无锡市核力创芯科技有限公司
- 当前专利权人: 国核铀业发展有限责任公司,北京核力同创科技有限公司,无锡市核力创芯科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华东路35号北林学研中心C栋1层107房间; ;
- 主分类号: G21K5/00
- IPC分类号: G21K5/00 ; H01L21/263
摘要:
本发明提供一种双真空舱室晶圆质子辐照装置及辐照方法,所述双真空舱室晶圆质子辐照装置包括:晶圆辐照真空舱和换片真空舱,所述晶圆辐照真空舱和换片真空舱通过连接真空段连通;所述连接真空段外设有屏蔽墙;所述晶圆辐照真空舱设置于辐照厅,所述换片真空舱设置于辐照前厅,所述屏蔽墙把所述辐照厅和辐照前厅密封隔离开。所述辐照装置非常适合于高能质子辐照,有利于大幅减轻工作人员所受到的射线伤害,可以实现晶圆的均匀化辐照,提高辐照质量,容量大,提高生产效率,保证了晶圆托盘平稳传输,有效到位,不会对大气造成活化,有助于从两个方面提高辐照精度能够实现高性能IGBT芯片的生产和软度因子大于2的快软恢复快软恢复二极管的制造。
公开/授权文献
- CN113903490A 一种双真空舱室晶圆质子辐照装置及辐照方法 公开/授权日:2022-01-07