发明授权
- 专利标题: 一种基于钙铟硫八面体纳米块或钙铟硫/ZnO异质结复合材料的光电探测器及其制备方法
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申请号: CN202111152229.3申请日: 2021-09-29
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公开(公告)号: CN113921286B公开(公告)日: 2023-02-28
- 发明人: 高世勇 , 容萍 , 王金忠 , 刘祎 , 任帅 , 张勇
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨龙科专利代理有限公司
- 代理商 王新雨
- 主分类号: H01G9/20
- IPC分类号: H01G9/20
摘要:
一种基于钙铟硫八面体纳米块或钙铟硫/ZnO异质结复合材料的光电探测器及其制备方法,所述钙铟硫为三维八面体纳米块结构,在钙铟硫/ZnO异质结复合材料中,ZnO为二维纳米片结构,均匀紧密地分布在CaIn2S4八面体纳米块表面。以制备的CaIn2S4八面体纳米块和CaIn2S4/ZnO异质结复合材料为工作电极,通过热封膜将其与对电极连接,并在中间注入聚硫电解质或去离子水,分别组装为CaIn2S4纳米块和CaIn2S4/ZnO异质结光电探测器。所制备探测器可在室温下实现紫外到可见光的宽光谱探测,且能够在无外加偏压下工作。本发明合成了三维CaIn2S4八面体纳米块和具有独特结构的CaIn2S4/ZnO异质结复合材料,并基于其分别制备了高性能的光电探测器,拓展了CaIn2S4纳米材料在光电探测领域的应用。
公开/授权文献
- CN113921286A 一种基于钙铟硫八面体纳米块或钙铟硫/ZnO异质结复合材料的光电探测器及其制备方法 公开/授权日:2022-01-11