一种高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器及其制备方法和应用

发明公开

CN113948635A 一种高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器及其制备方法和应用审中-实审

摘要：

本发明属于微电子技术领域，涉及一种高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器及其制备方法和应用，该忆阻器包括:自下而上依次设置有基底、底部金电极层、异质结层；所述异质结层为CuInP2S6/MoS2垂直异质结，作为介质层。利用两种不同的二维材料，并将它们形成垂直异质结，呈现出高速和低电压介导的忆阻器。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L45/00	无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L39/00；压电器件入H01L41/00；体负阻效应器件入H01L47/00）