- 专利标题: 一种固体废弃物表面原位生长纳米SiO2的制备方法
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申请号: CN202111209928.7申请日: 2021-10-18
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公开(公告)号: CN113955960B公开(公告)日: 2023-05-30
- 发明人: 潘钢华 , 刘宝 , 蒙海宁 , 朱祥 , 陆小军
- 申请人: 东南大学 , 江苏镇江建筑科学研究院集团股份有限公司
- 申请人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号;
- 专利权人: 东南大学,江苏镇江建筑科学研究院集团股份有限公司
- 当前专利权人: 东南大学,江苏镇江建筑科学研究院集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号;
- 代理机构: 南京苏高专利商标事务所
- 代理商 柏尚春
- 主分类号: C04B20/10
- IPC分类号: C04B20/10
摘要:
本发明公开了一种固体废弃物表面原位生长纳米SiO2的制备方法,包括以下步骤:将固体废弃物粉末与表面活性剂混合,经离心洗涤、分离固液相、干燥得到固体粉末;向氨水与醇溶液的混合液内依次加入硅酸四乙酯、固体粉末,记为A液;将硅酸四乙酯和醇的混合液记为B液,将B液滴加在A液中,继续反应,经离心洗涤、干燥后制得。本发明能够在固废颗粒表面原位生长纳米SiO2,可控制固废颗料表面的生长量和纳米SiO2的粒径;固体废弃物和纳米颗粒原位复混后得到更高活性掺合料,减小纳米SiO2自身絮凝团聚比例,提高纳米SiO2颗粒在基体中的分散均匀性,减少由于纳米材料团聚包裹的水分,降低胶凝材料的需水量。
公开/授权文献
- CN113955960A 一种固体废弃物表面原位生长纳米SiO2的制备方法 公开/授权日:2022-01-21
IPC分类: