发明公开
- 专利标题： 一种P型半导体薄膜氧化铋铜及其制备方法与应用
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申请号： CN202111136180.2申请日： 2021-09-27
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公开(公告)号： CN113957394A公开(公告)日： 2022-01-21
- 发明人: 宋安刚 , 朱地 , 赵保峰 , 关海滨 , 徐丹
- 申请人： 山东省科学院能源研究所
- 申请人地址： 山东省济南市历下区科院路19号
- 专利权人： 山东省科学院能源研究所
- 当前专利权人： 山东省科学院能源研究所
- 当前专利权人地址： 山东省济南市历下区科院路19号
- 代理机构： 济南圣达知识产权代理有限公司
- 代理商 王磊
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34 ; C23C14/58 ; C23C14/08 ; C25B11/077 ; C25B11/087 ; C25B1/04 ; C25B1/55
摘要：
本发明公开了一种P型半导体薄膜氧化铋铜及其制备方法与应用，采用脉冲激光溅射法制备混合膜，再通过退火使混合膜形成CuBi2O4薄膜；脉冲激光溅射法制备混合膜的靶材为混合靶材，混合靶材由氧化铜粉末和氧化铋粉末通过热压烧结法制备获得。本发明制备的P型半导体薄膜氧化铋铜纯度更高、结晶性更好，从而具有更高的光电转化效率。
公开/授权文献
- CN113957394B 一种P型半导体薄膜氧化铋铜及其制备方法与应用 公开/授权日：2023-09-26
IPC分类:
