本发明公开一种基于异质集成的高功率密度同步升压DC‑DC转换芯片，包括片上集成部分及片外部分，片上集成部分包括高边增强型GaN功率开关管、低边增强型GaN功率开关管以及基于CMOS工艺的CMOS控制电路，CMOS控制电路包括带隙基准、误差放大器、箝位电路、比较器、锯齿波发生器、电平位移电路、驱动电路模块，片外部分包括电感L和电容C。本发明的本发明基于异质集成的高功率密度同步升压DC‑DC转换器芯片，可以有效提高芯片级DC‑DC转换器的输出功率；大大减小了高功率DC‑DC转换器的体积，有效降低其成本；具备宽输入电压范围，能在高开关频率下实现高的转换效率。