晶圆切割保护方法及具有切割保护环的晶圆，将对晶圆的切割分别在前道生产和后道生产分两部分进行，先在前道生产中在晶圆的切割道上进行化学蚀刻，在晶粒周围形成切割保护环，然后在后道生产中，在切割保护环中再以切割刀进行切割，彻底分割晶圆，其中切割保护环的宽度大于切割刀的刃宽。本发明摒弃了以往晶圆切割必须在后道生产中进行的观念，不需变更原有工艺的芯片制造及切割设计，通过切割保护环在外延层实现平滑的切割面，不易吸附水汽或杂质，不会在后道生产常见的切割问题，对于产品信赖性及寿命有极大的帮助，且相比切割刀直接切割的方式，无外力作用于切割道正面，因切割刀崩坏外延层的机会为零，避免正面崩坏影响良率。