本发明公开了一种电压调制变波段光电探测器及其制作方法，该光电探测器为雪崩型光电探测器，导电薄膜作为第一电极，二维材料作为载流子阻挡层，具有纳米阵列结构的半导体材料作为光子吸收层，因此外部辐射光子更容易被光子吸收层捕获，产生光生载流子，光生载流子被载流子阻挡层阻挡并在载流子阻挡层及两侧形成强电场，使得载流子被强电场加速实现雪崩增益，同时，强电场调控光生电子跃迁路径以改变光子吸收层响应的光子波长，以此可以获得一种高响应度，并且无需滤光片、更换半导体材料即可实现探测波段可调的光电探测器件，有助于提高器件对微弱光信号的探测能力和适用性。