发明授权
- 专利标题： 一种硅电极材料的制备方法
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申请号： CN202111133636.X申请日： 2021-09-27
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公开(公告)号： CN113991092B公开(公告)日： 2023-05-05
- 发明人: 李仕琦 , 冷丹 , 朱铧丞 , 邓天松
- 申请人： 杭州电子科技大学
- 申请人地址： 浙江省杭州市下沙高教园区二号路
- 专利权人： 杭州电子科技大学
- 当前专利权人： 湖北匠芯新材料有限公司
- 当前专利权人地址： 443005 湖北省宜昌市高新区发展大道57-6号三峡云计算大厦4FC3号
- 代理机构： 浙江永鼎律师事务所
- 代理商 陆永强
- 主分类号： H01M4/38
- IPC分类号： H01M4/38
摘要：
本发明公开了一种硅电极材料的制备方法，采用微波处理三异丁基硅烷的方式制备硅电极材料。采用本发明的技术方案，可以制备纳米硅颗粒被多孔碳壳包覆的核壳结构。当该结构用作电极时，多孔碳壳有效提升了硅电极的电子导电性且缓轻了硅颗粒的体积膨胀，从而提高了硅电极的循环稳定性。
公开/授权文献
- CN113991092A 一种硅电极材料的制备方法 公开/授权日：2022-01-28
