本申请涉及PCB钻孔领域，具体公开了一种Ta‑C类金刚石涂层制备方法及其应用。一种Ta‑C类金刚石涂层的制备方法，包括以下步骤:S1.清洗基材；S2.采用磁过滤真空阴极电弧技术，将基材放入真空环境中，然后通入氩气，开偏压，基材偏压为550~650V，进行离子轰击，时间1600~1900s；S3.关氩气，抽真空，再通入氩气，然后以碳靶为靶材，基材偏压300~500V，碳靶电流为60~70A，沉积200~350s；S4.梯度式降低基材偏压至30~60V，然后继续沉积1800~2100s；S5.冷却，得到类金刚石涂层。本申请的制备方法具有提高微径刀具的使用寿命，降低生产成本的优点。