本发明涉及一种发光芯片的外延结构、发光芯片及显示背板，发光芯片的有源层包括多个交替生长的量子阱层和量子垒层，且量子垒层包括第三势垒子层，以及分别位于第三势垒子层上、下两侧的第一势垒子层和第五势垒子层，第一势垒子层、第五势垒子层与量子阱层的晶格常数之差，小于第三势垒子层与所述量子阱层的晶格常数之差，使得因晶格失配导致的量子限制斯塔克效应得以遏制，减小能带弯曲，使电子和空穴的辐射复合效率得到提升；第三势垒子层掺杂有P型杂质，注入到量子阱中的空穴数显著增加，空穴可尽可能均匀的分布在所有量子阱中，可进一步提升电子和空穴的辐射复合效率，从而提升内量子效率。