发明公开
- 专利标题: 一种碳化硅外延生长装置
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申请号: CN202210011142.2申请日: 2022-01-06
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公开(公告)号: CN114059164A公开(公告)日: 2022-02-18
- 发明人: 蒲勇 , 赵鹏 , 卢勇 , 施建新
- 申请人: 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区苏慕路104号S栋
- 专利权人: 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
- 当前专利权人: 芯三代半导体科技(苏州)有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区苏慕路104号S栋
- 代理机构: 苏州智品专利代理事务所
- 代理商 唐学青
- 主分类号: C30B29/36
- IPC分类号: C30B29/36 ; C30B25/14
摘要:
本申请公开一种碳化硅外延生长装置。该碳化硅外延生长装置包括:反应模块,其内配置有反应腔;喷淋部组件,其配置于反应模块上,喷淋部组件包括多个独立的腔体,多个所述腔体分别经管道连接至用以提供气体的气源以及分别经出气通道连通反应腔,且所述出气通道包括依次连接的导气管段、匀压管段及扩散管段,所述导气管段的直径大于所述匀压管段的直径;以及托盘组件,托盘组件配置于所述反应腔的底部,且与所述喷淋部组件相对,托盘组件的顶部用以放置衬底,反应模块运行时气体流入匹配的腔体,并在腔体内混合后从匹配的出气通道流出并流至反应腔内。该碳化硅外延生长装置采用的反应气体类型可以灵活组合,具有极大的通用性。
公开/授权文献
- CN114059164B 一种碳化硅外延生长装置 公开/授权日:2022-11-04
IPC分类: