本发明提供了一种浮栅存储器，包括衬底、绝缘介质层、缓冲层、沟道层、隧穿层、源极、漏极、浮栅层、阻挡层、栅极和栅极接触材料层，所述缓冲层覆盖所述绝缘介质层背向所述衬底的一面，所述沟道层覆盖所述缓冲层背向所述绝缘介质层的一面，所述隧穿层覆盖所述沟道层背向所述缓冲层的一面的部分，所述浮栅层覆盖所述隧穿层背向所述沟道层的一面，所述阻挡层覆盖所述浮栅层背向所述隧穿层的一面，所述栅极覆盖所述阻挡层背向所述浮栅层的一面，能够利用二维材料无悬挂键的优势，减小界面缺陷，降低了所述浮栅存储器的阈值电压，进而降低所述浮栅存储器的功耗。本发明还提供了所述浮栅失存储器的制备方法。