Invention Publication
- Patent Title: 半导体装置和半导体装置的制造方法
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Application No.: CN202110678399.9Application Date: 2021-06-18
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Publication No.: CN114093827APublication Date: 2022-02-25
- Inventor: 小汲泰一
- Applicant: 拉碧斯半导体株式会社
- Applicant Address: 日本神奈川县横滨市
- Assignee: 拉碧斯半导体株式会社
- Current Assignee: 拉碧斯半导体株式会社
- Current Assignee Address: 日本神奈川县横滨市
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 刘茜璐; 李啸
- Priority: 2020-111987 20200629 JP
- Main IPC: H01L23/31
- IPC: H01L23/31 ; H01L23/498 ; H01L29/16 ; H01L21/04 ; H01L21/48 ; H01L21/56
Abstract:
谋求在WL‑CSP中将SiC作为半导体基板的半导体装置的可靠性的提高。半导体装置1具备：包含扩散层11的SiC半导体基板10、设置在SiC半导体基板10上的第一电极12、设置在第一电极12上的第二电极18、以及为与SiC半导体基板的平面尺寸大致相同的平面尺寸并且被设置成密封第二电极18的树脂部20。
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IPC分类:
