本发明公开一种CZO透明导电薄膜，成分组成为：Cu(1at.％～2at.％)，Zn(48at.％～50at.％)，O(50at.％～52at.％)，呈纤维状生长结构，包括多条被阻断的柱状晶，相邻柱状晶之间无微裂纹或微孔洞，密度为5.3～5.5g/cm3。该导电薄膜具有较低的电阻率，较好的透光率。本发明还提供了一种CZO透明导电薄膜的制备方法，包括：向镀膜腔室抽真空，持续通入惰性气体，设置靶电源参数，采用纯CZO陶瓷靶在基体上进行单靶溅射、以ZnO陶瓷靶和金属Cu靶在基体上进行双靶共溅射或以ZnCu合金靶在基体上进行反应溅射以形成CZO透明导电薄膜。该方法制备简单、高效。