本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：坩埚组件，坩埚组件具有第一腔室和第二腔室，第二腔室位于第一腔室的内侧，第二腔室适于盛放原料，第一腔室适于放置籽晶，坩埚组件具有进气口、出气口和进气通道，进气口和出气口均与第一腔室连通，进气通道的进气端位于第一腔室外，进气通道的出气端与第二腔室连通，进气通道适于通入含有气态钒化合物的混合气，进气口适于通入含有还原性气体的吹扫气，原料升华产生的碳化硅气体适于在混合气和吹扫气的驱动下从第二腔室进入第一腔室并在籽晶上沉积，出气口用于排出过剩气体。根据本发明的碳化硅晶体生长装置，在实现利用钒补偿氮、硼制备碳化硅晶体的同时避免晶体中出现硅掺杂物，节约原料。