发明授权
- 专利标题： 一种量子点发光二极管及其制备方法
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申请号： CN202010869025.0申请日： 2020-08-26
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公开(公告)号： CN114122270B公开(公告)日： 2023-09-01
- 发明人: 夏思雨 , 杨一行
- 申请人： TCL科技集团股份有限公司
- 申请人地址： 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
- 专利权人： TCL科技集团股份有限公司
- 当前专利权人： TCL科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
- 代理机构： 深圳市君胜知识产权代理事务所
- 代理商 温宏梅
- 主分类号： H10K50/115
- IPC分类号： H10K50/115 ; H10K71/00 ; B82Y30/00
摘要：
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，量子点发光二极管包括：阳极，阴极，设置在阳极与阴极之间的量子点发光层，设置在阳极与量子点发光层之间的PEDOT:PSS层，以及设置在PEDOT:PSS层与量子点发光层之间的间隔层，间隔层的材料为硫硒化锑纳米颗粒，硫硒化锑纳米颗粒的化学式为Sb2(S1‑xSex)3，其中，0
公开/授权文献
- CN114122270A 一种量子点发光二极管及其制备方法 公开/授权日：2022-03-01
