- 专利标题: 测试聚(4-羟基苯乙烯-co-特丁氧酰氧基苯乙烯)羟基保护率的方法
-
申请号: CN202111460580.9申请日: 2021-12-02
-
公开(公告)号: CN114136909A公开(公告)日: 2022-03-04
- 发明人: 房彩琴 , 李冰 , 孙嘉 , 鲁代仁 , 董栋 , 张宁
- 申请人: 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程化学(中国)有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
- 申请人地址: 上海市奉贤区化学工业区目华路201号1幢904室; ; ; ;
- 专利权人: 上海彤程电子材料有限公司,北京彤程创展科技有限公司,北京科华微电子材料有限公司,彤程化学(中国)有限公司,彤程新材料集团股份有限公司
- 当前专利权人: 上海彤程电子材料有限公司,北京彤程创展科技有限公司,北京科华微电子材料有限公司,彤程化学(中国)有限公司,彤程新材料集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市奉贤区化学工业区目华路201号1幢904室; ; ; ;
- 代理机构: 北京柏杉松知识产权代理事务所
- 代理商 李婷; 刘继富
- 主分类号: G01N21/35
- IPC分类号: G01N21/35 ; G01N21/3563
摘要:
本申请涉及光刻胶树脂技术领域,提供了一种测试聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)羟基保护率的方法,通过获得已知羟基保护率的聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)样品中羰基的两个特征峰总面积和苯环对位取代基的特征峰面积的比值,建立得到标准曲线的回归方程;将聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)待测样品中羰基的两个特征峰总面积和苯环对位取代基的特征峰面积的比值代入上述回归方程,即可计算得到待测样品的羟基保护率;该方法能够准确获得聚(4‑羟基苯乙烯‑co‑特丁氧酰氧基苯乙烯)待测样品的羟基保护率,且具有简便、分析速度快、准确度高、误差小、检测成本低等优势。
公开/授权文献
- CN114136909B 测试聚(4-羟基苯乙烯-co-特丁氧酰氧基苯乙烯)羟基保护率的方法 公开/授权日:2024-08-16
IPC分类: