Invention Grant
- Patent Title: 基于强化学习双模型结构的集成电路直流分析方法及系统
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Application No.: CN202111297554.9Application Date: 2021-11-04
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Publication No.: CN114139472BPublication Date: 2023-05-02
- Inventor: 牛丹 , 金洲 , 董毅超 , 裴浩杰
- Applicant: 江阴市智行工控科技有限公司 , 南京云牛智能科技有限公司
- Applicant Address: 江苏省无锡市江阴市澄江中路159号714室;
- Assignee: 江阴市智行工控科技有限公司,南京云牛智能科技有限公司
- Current Assignee: 江阴市智行工控科技有限公司,南京云牛智能科技有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省无锡市江阴市澄江中路159号714室;
- Agency: 南京苏高专利商标事务所
- Agent 徐红梅
- Main IPC: G06F30/30
- IPC: G06F30/30 ; G06N3/092 ; G06N3/084 ; G06N3/048

Abstract:
本发明公开了一种基于强化学习双模型结构的集成电路直流分析方法及系统,该方法使用双模型强化学习算法来制定集成电路伪瞬态分析的步长控制策略。强化学习双模型包括前进模型和后退模型,以集成电路仿真的状态变量作为模型输入,判断目前电路所处的状态并输出一个最优的仿真步长。本发明提供的基于强化学习双模型结构的集成电路直流分析方法可以通过电路的不同状态来自适应步长的输出,两个模型引入公共样本池来相互学习各自的经验,从而使得算法更快地收敛。将连续的步长输出代替了传统算法的离散步长输出,可以更快地提高仿真效率,大大降低了牛顿拉夫逊法的迭代次数和仿真时间。
Public/Granted literature
- CN114139472A 基于强化学习双模型结构的集成电路直流分析方法及系统 Public/Granted day:2022-03-04
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