一种半导体器件的制造方法及其蒸镀缺陷的检测方法，包括确定器件在工作电压之间的第一实际工作电压点和第二实际工作电压点，并确定合适的标准电压变化值，由于半导体器件在工作电压中两个电压点之间的电流变化的斜率与蒸镀金属层的电阻大小对应，并且，两个工作电压点之间的电流变化斜率和两个工作电压的变化大小成正比关系，所以，可以通过这两个电压点的变化是否在正常工作范围，来推测出蒸镀金属值VR是否正常。这种蒸镀缺陷的检测方法，能够用于双向TVS蒸镀电极的检测，不限定器件是否需要顺向导通的条件，能够在器件制作过程中对每一个器件进行检测，检测效率高，进行检测的同时不会影响生产效率。