发明授权
- 专利标题： 一种中子散射实验用超导磁体结构
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申请号： CN202111516324.7申请日： 2021-12-06
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公开(公告)号： CN114199913B公开(公告)日： 2023-10-20
- 发明人: 罗万居 , 林权 , 胡海韬 , 袁宝 , 白波 , 黄志强 , 程辉 , 童欣
- 申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
- 申请人地址： 广东省东莞市松山湖科技产业园区科学园生产力大厦;
- 专利权人： 散裂中子源科学中心,中国科学院高能物理研究所
- 当前专利权人： 散裂中子源科学中心,中国科学院高能物理研究所
- 当前专利权人地址： 广东省东莞市松山湖科技产业园区科学园生产力大厦;
- 代理机构： 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
- 代理商 廖金晖; 彭家恩
- 主分类号： G01N23/20008
- IPC分类号： G01N23/20008 ; H01F6/00
摘要：
一种中子散射实验用超导磁体结构，包括至少两条中子入射通道、中子散射扇形区域和样品腔。中子入射通道与中子散射扇形区域共面设置，样品腔设于中子散射扇形区域的顶点处。由于超导磁体上设有多条中子入射通道，在实验时只需要选用不同的中子入射通道就能适用于不同探测器布局的谱仪，使得超导磁体的兼容性与利用率提高，减少浪费，降低成本。
公开/授权文献
- CN114199913A 一种中子散射实验用超导磁体结构 公开/授权日：2022-03-18
IPC分类:
