发明公开
- 专利标题： 基于大电阻率材料的摩擦电式位置传感器及其制备方法
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申请号： CN202111544150.5申请日： 2021-12-16
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公开(公告)号： CN114251999A公开(公告)日： 2022-03-29
- 发明人: 郭恒宇 , 胡志豪 , 胡陈果
- 申请人： 重庆大学
- 申请人地址： 重庆市沙坪坝区沙正街174号
- 专利权人： 重庆大学
- 当前专利权人： 重庆大学
- 当前专利权人地址： 重庆市沙坪坝区沙正街174号
- 代理机构： 重庆市前沿专利事务所
- 代理商 郭云; 肖秉城
- 主分类号： G01B7/00
- IPC分类号： G01B7/00 ; C23C14/35 ; C23C14/24 ; C25D7/00
摘要：
本发明公开了一种基于大电阻率材料的摩擦电式位置传感器及其制备方法。所述基于大电阻率材料的摩擦电式位置传感器，包括摩擦层和高阻抗电极；所述摩擦层和高阻抗电极层合设置；所述高阻抗电极设置有输出端口。基于大电阻率材料的摩擦电式位置传感器极大减少了信号通道数，可以用以传感触摸的位置，触摸速度等信息，也可以实现触摸的循迹传感功能，并同时具有较高的精度和空间分辨率，结构、制作工艺简单，性能优异且成本低廉，适合于实际应用和推广。
公开/授权文献
- CN114251999B 基于大电阻率材料的摩擦电式位置传感器及其制备方法 公开/授权日：2023-10-20
