- 专利标题: 部分可熔断双阶耗能的芯部耗能结构及轴向钢阻尼器
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申请号: CN202111616457.1申请日: 2021-12-27
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公开(公告)号: CN114277951B公开(公告)日: 2023-06-20
- 发明人: 杨旗 , 王敏 , 丁孙玮 , 杨凯 , 涂田刚 , 洪彦昆 , 徐斌
- 申请人: 上海材料研究所有限公司
- 申请人地址: 上海市虹口区邯郸路99号
- 专利权人: 上海材料研究所有限公司
- 当前专利权人: 上海材料研究所有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市虹口区邯郸路99号
- 代理机构: 上海科盛知识产权代理有限公司
- 代理商 褚明伟
- 主分类号: E04B1/98
- IPC分类号: E04B1/98 ; E04H9/02
摘要:
本发明涉及部分可熔断双阶耗能的芯部耗能结构及轴向钢阻尼器,轴向钢阻尼器包括芯部耗能结构和外围约束构件,芯部耗能结构至少包含一块奥氏体组织钢板和一块铁素体组织钢板,且奥氏体组织钢板与铁素体组织钢板之间无约束连接。所述奥氏体组织钢板的微观组织主要为亚稳态奥氏体,铁素体组织钢板的微观组织主要为铁素体;所述奥氏体组织钢板的屈服强度不小于220MPa、延伸率不小于40%,铁素体组织钢板的屈服强度小于180MPa、延伸率不小于30%。本发明轴向钢阻尼器具有屈服位移小、延性和累积塑性变形能力优异、可实现芯部耗能结构部分熔断从而限制阻尼器出力、可与建筑物主体结构同冗余度失效的特征。
公开/授权文献
- CN114277951A 部分可熔断双阶耗能的芯部耗能结构及轴向钢阻尼器 公开/授权日:2022-04-05
IPC分类: