发明授权
- 专利标题: 一种变温条件下黑体腔吸收系数的定标方法
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申请号: CN202111598327.X申请日: 2021-12-24
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公开(公告)号: CN114279562B公开(公告)日: 2024-04-19
- 发明人: 俞兵 , 储隽伟 , 范纪红 , 袁林光 , 秦艳 , 孙宇楠 , 曹锋 , 王曼
- 申请人: 西安应用光学研究所
- 申请人地址: 陕西省西安市雁塔区电子三路西段九号
- 专利权人: 西安应用光学研究所
- 当前专利权人: 西安应用光学研究所
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市雁塔区电子三路西段九号
- 代理机构: 中国兵器工业集团公司专利中心
- 代理商 刘二格
- 主分类号: G01J1/56
- IPC分类号: G01J1/56 ; G01J5/53
摘要:
本发明属于光学计量测试领域,公开了一种变温条件下黑体腔吸收系数的定标方法,该方法利用高稳定辐射源结合稳功率仪产生均匀的单色辐射,并被待测黑体腔接收,通过在布儒斯特窗口前加入倒装的光电探测器,对反射光束强度进行标定,从而实现黑体腔吸收系数的全温度段定标。本发明方法针对当前温度波动导致黑体腔吸收系数漂移的检定难题,创新性引入变温腔‑探测器一体测试手段,实现了对变温环境下腔体全波段吸收系数的测量,具有体积小、定标准确度高,应用前景广的特点。
公开/授权文献
- CN114279562A 一种变温条件下黑体腔吸收系数的定标方法 公开/授权日:2022-04-05