本申请涉及半导体晶片加工领域，具体公开了一种半导体晶片的抛光方法及磷化铟晶片。所述半导体晶片的抛光方法是利用抛光设备、抛光液和抛光垫对研磨后的半导体晶片进行抛光。抛光液包括粗抛光液与精抛光液。所述粗抛光液的pH值为4‑5，二氧化硅的粒径为50‑80nm，所述精抛光液的pH值为6‑7，二氧化硅的粒径为20‑30nm。本申请中半导体晶片的粗糙度Ra≤0.2nm，平整度在5μm以内，弯曲度在4μm以内，翘曲度在2μm以内。通过本申请的抛光液，抛光设备与抛光垫的相互配合，保证磷化铟晶片表面质量的同时，提高生产效率，适用于批量化地生产。