- 专利标题: 一种MEMS电容式六轴力传感器芯片及其制备工艺
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申请号: CN202111595513.8申请日: 2021-12-23
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公开(公告)号: CN114323396B公开(公告)日: 2022-11-11
- 发明人: 赵立波 , 谭仁杰 , 韩香广 , 高文迪 , 李敏 , 陈瑶 , 董林玺 , 杨萍 , 王小章 , 王久洪 , 蒋庄德
- 申请人: 西安交通大学 , 杭州电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号;
- 专利权人: 西安交通大学,杭州电子科技大学
- 当前专利权人: 西安交通大学,杭州电子科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号;
- 代理机构: 西安智大知识产权代理事务所
- 代理商 贺建斌
- 主分类号: G01L5/165
- IPC分类号: G01L5/165 ; B81B7/02 ; B81C1/00
摘要:
一种MEMS电容式六轴力传感器芯片及其制备工艺,芯片包括由上向下设置的高阻硅器件层、低阻硅器件层和玻璃器件层,通过硅‑硅键合和硅‑玻键合形成一种三明治结构;高阻硅器件层包括第一中心刚体和载荷传递结构;低阻硅器件层包括第二中心刚体,第二中心刚体四周和电极形成梳齿电容,第二中心刚体一方面与第一中心刚体键合为一体,另一方面作为梳齿电容动极板的公共电极;玻璃器件层包括玻璃基底,以及玻璃基底上的平板电容极板、外部焊盘、内部焊盘、金属引线等金属层结构;制备工艺包括硅器件层的加工工艺、玻璃器件层的加工工艺、硅‑玻键合工艺和划片;本发明实现六轴力或力矩的解耦输出,具有量程大、灵敏度高、串扰误差小、微型化等优点。
公开/授权文献
- CN114323396A 一种MEMS电容式六轴力传感器芯片及其制备工艺 公开/授权日:2022-04-12