Invention Publication
- Patent Title: 一种具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物及其制备方法和应用
-
Application No.: CN202210005661.8Application Date: 2022-01-04
-
Publication No.: CN114335448APublication Date: 2022-04-12
- Inventor: 万厚钊 , 刘钦 , 王浩 , 吕琳 , 王浚英 , 马国坤 , 张军 , 汪汉斌
- Applicant: 湖北大学 , 湖北江城实验室
- Applicant Address: 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号;
- Assignee: 湖北大学,湖北江城实验室
- Current Assignee: 湖北大学,湖北江城实验室
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号;
- Agency: 北京金智普华知识产权代理有限公司
- Agent 张晓博
- Main IPC: H01M4/26
- IPC: H01M4/26 ; H01M4/32 ; H01M4/36 ; H01M4/52 ; H01M10/30

Abstract:
本发明公开了一种具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物及其制备方法和应用。本发明具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物是以金属镍盐、金属钴盐、六亚甲基四胺、葡萄糖通过一步水热法制备而成。将本发明制备的具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物作为电极活性材料,其具有较大的比容量以及良好的倍率性能,采用上述镍钴氢氧化物材料制成电极材料后,其比电容在1A/g恒定电流下为400~800C/g,扫描速率从1A/g到10A/g其电容保持率为85%左右。
Public/Granted literature
- CN114335448B 一种具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物及其制备方法和应用 Public/Granted day:2023-10-31
Information query